广岛大学半导体产业技术研究所与FENITEC Semiconductor公司（总部位于冈山县井原市，社长石井弘幸）共同宣布，全球首次成功在半导体量产工厂中试制出碳化硅（SiC）半导体集成电路（IC）。试制品已在高温环境下验证了良好运行性能，未来将正式启动用于器件设计的参数提取工作。该成果标志着具有高耐辐射性、可在高达500℃的高温环境下运行的SiC-IC实现量产迈出关键一步。

此次试制由FENITEC Semiconductor鹿儿岛工厂（鹿儿岛县汤水町）利用6英寸晶圆生产线完成。回路设计与工艺开发历时约一年，由双方组建联合团队共同推进。近期，包括用于测试互补型金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器的测试芯片和工艺评估用器件等集成的试制晶圆，已交付至广岛大学。

SiC-IC相较传统硅（Si）IC具备极高的抗辐射能力。因此，其有望应用于核电站退役作业中的反应堆监控及各类设备控制、宇宙空间等极端环境。通过建立在半导体代工（Foundry）领域的量产路径，相关方力争推动采用SiC-IC的设备开发，力求实现该技术的早期社会应用。